Annunciato lo scorso 22 gennaio, il disco 970 EVO Plus è il più recente aggiornamento del portafoglio prodotti Samsung e subentra al precedente modello 970 EVO. Gli SSD della famiglia Plus sono i primi prodotti consumer equipaggiati con le nuove celle di memoria Samsung V-Nand a 96 livelli. Al pari dei modelli 970 EVO classici, anche quelli della serie Plus sono prodotti ideali per una vasta gamma di utenti – dal professionista al giocatore – grazie all’affidabilità e alla capacità di fornire prestazioni elevate con carichi di lavoro intensi tipici sia dell’ambiente consumer sia di quello workstation. I nuovi dischi Samsung sono attualmente disponibili con capacità di 250 Gbyte, 500 Gbyte e 1 Tbyte – oggetto di questa prova – ma entro la fine del mese di aprile entrerà in commercio anche il modello da 2 Tbyte.

Come abbiamo accennato, alla base degli SSD 970 EVO Plus troviamo una nuova generazione di celle di memoria TLC (Triple Level Cell) a 3 bit che sono costruite utilizzando 96 livelli contro i precedenti 64 livelli. Queste celle VNand sono state presentate da Samsung nel corso del 2017 e sono entrate in produzione a metà dello scorso 2018. Tuttavia il surplus di produzione delle celle a 64 livelli ha determinato un ritardo nell’adozione di quelle a 96 livelli da parte dei produttori.

Le celle V-Nand a 96 livelli offrono un incremento limitato della densità di archiviazione e quindi l’impatto sul costo al Gbyte non risulta significativo. A fare la differenza però sono i numerosi miglioramenti ottenuti da Samsung sul fronte delle prestazioni e su quello dell’efficienza energetica. La nuova generazione di celle utilizza un’interfaccia aggiornata tra il controller e le memorie Nand: la velocità dell’interfaccia passa, infatti, da 800 Mbps a 1.400 Mbps, mentre la tensione di alimentazione scende da 1,8 volt a 1,2 volt. Queste caratteristiche forniscono a Samsung un vantaggio tecnologico rispetto alla concorrenza: le celle a 96 livelli prodotte da Intel, Micron e SK Hynix supportano un interfaccia a 1.200 Mbps, mentre quelle prodotte da Toshiba (SanDisk) supportano un’interfaccia che opera solo a 800 Mbps. Le V-Nand a 96 livelli di Samsung apportano miglioramenti anche sul fronte della latenza in fase di lettura e scrittura, rispettivamente 50 millisecondi e 500 millisecondi, pari a circa il 30% rispetto alla precedente generazione. Samsung è riuscita inoltre a ridurre l’altezza delle celle di circa il 20% senza intaccare l’affidabilità e la durata di vita delle celle stesse.

Le specifiche di targa dei nuovi modelli dichiarano un incremento di prestazioni rispetto alla precedente generazione: le prestazioni in lettura e scrittura sequenziale sono rispettivamente di 3,5 Gbyte/s e 3,3 Gbyte/s, mentre quelle in lettura e scrittura casuale si attestano rispettivamente a 620.000 e 560.000 IOps. Samsung dichiara inoltre che la velocità di scrittura sui modelli con capacità di 250 Gbyte è cresciuta del 53% rispetto al modello standard. Il guadagno maggiore si registra quindi nella velocità in scrittura sequenziale verso la cache SLC (Single Level Cell) che per il modello da 1 Tbyte di capacità è salito da 2,5 Gbye/s a 3,3 Gbyte/s; tale velocità è pari a 1,75 Gbyte/s invece di 1,25 Gbyte/s con cache SLC satura. L’incremento di velocità in lettura sequenziale è invece molto ridotto in quanto si è passati a 3,5 Gbyte/s dai precedenti 3,4 Gbyte/s. In modalità di lettura casuale le prestazioni sono migliorate invece di circa il 20%. È interessante notare come le prestazioni da specifiche dei nuovi 970 EVO Plus con celle TLC siano superiori a quelle dei modelli 970 PRO con memoria MCL (Multi Level Cell), fatta eccezione per la velocità in scrittura con cache satura. In quest’ultimo caso, infatti, i modello 970 PRO riescono a garantire prestazioni di gran lunga superiori. L’interfaccia verso il sistema è rimasta quella Pci Express 3.0 in modalità x4, così come invariato è anche il controller Phoenix. Nel corso delle prove condotte in laboratorio abbiamo potuto apprezzare i miglioramenti di prestazioni offerti dal Samsung 970 EVO Plus rispetto al suo predecessore.